国内首台量产型氧化镓MOCVD设备，目前国内量产型氧化镓MOCVD占有率最高，稳定性最好
氧化物MOCVD 氮化物MOCVD HTMOCVD 二维材料MOCVD MIST-CVD Batch ALD Single ALD 技术服务 |
氧化镓MOCVD
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氧化镓MOCVD设备利用MOCVD技术，即金属有机化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）制备氧化镓薄膜，也可用于生长其他氧化物，如氧化锌（ZnO）等，显示出独特的优势。
氮化物MOCVD
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氮化物MOCVD设备利用MOCVD技术，即金属有机化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）制备纳米级薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）等，显示出独特的优势。
HTMOCVD
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HTMOCVD即高温金属有机化学气相沉积（High Temperature Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）用于制备氮化物薄膜，如氮化铝（AlN）、铝镓氮（AlGaN）、氮化硼（BN）等，显示出独特的优势。
二维材料MOCVD
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二维材料MOCVD设备利用MOCVD技术，即金属有机化学气相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）制备二维材料，如二硫化钼（MoS2）、二硫化钨（WS2）等。
MIST-CVD
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MistCVD（雾化化学气相沉积）是一种先进的薄膜沉积技术，它结合了超声雾化和化学气相沉积的特点，通过超声雾化装置将溶于液体的物料雾化成微小颗粒，并输送到反应炉中，在加热的基材上通过热解反应形成产物薄膜。如
Ga2O3、 Al2O3、In2O3Batch ALD
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ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）是一种先进的薄膜沉积技术，它能够在原子尺度上精确控制薄膜的厚度和组成。这种技术通过交替地将前驱体（precursor）气体脉冲送入反应室，并在基底表面进行化学吸附和表面反应，从而逐层沉积出所需的薄膜。如Al2O3等
Single ALD
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ALD（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）是一种先进的薄膜沉积技术，它能够在原子尺度上精确控制薄膜的厚度和组成。这种技术通过交替地将前驱体（precursor）气体脉冲送入反应室，并在基底表面进行化学吸附和表面反应，从而逐层沉积出所需的薄膜。如Al2O3等
镓耀半导体
苏州镓耀半导体科技有限公司是一家专业从事CVD及ALD装备制造的高科技企业，专注于氧化镓MOCVD，氧化镓MistCVD，氮化镓MOCVD，Batch ALD设备，单片ALD设备，二维材料CVD等一系列薄膜沉积设备，产品主要用于β相-及e-相氧化镓外延生长，α氧化镓外延生长，各类氧化物、氮化物薄膜沉积、MoS2等二维材料及氮化硼（BN）薄膜生长
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