Stellar Serial Ⅱ
Stellar Serial Ⅱ系统适用于以Ⅲ/Ⅴ族材料生长，主要用来外延氮化镓（GaN），砷化镓（AsGa），磷化铟（InP）等材料，生长的高质量薄膜在半导体器件、光学器件、光通讯等多个领域具有广泛应用。
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产品特点 — 衬底规格：1*6”，3*4“，12*2” — 工艺温度：20-1200℃ — 典型生长材料：GaN，GaAs，InP，锌扩散 — 前驱体：TMGa、TMAl、DEZn可扩展至多六路MO源 — 气路漏率：≤ 1.0*10-9 mbar*l/s |