Stellar Oxide Ⅱ
Stellar Oxide Ⅱ系统是市场为数不多满足量产型氧化镓生长的MOCVD设备，通过独特的解决方案满足了高温和抗氧化的使用特点，给氧化镓的生长提供了完美的解决方案;设备具备温度和反射率原位监控功能，可以针对生长过程实时监控，另外前驱体满足至多10路的设计可以更好的满足企业灵活生产安排。
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产品特点 — 衬底规格：30*2“，8*4”，3*6“ — 工艺温度：20-1000℃ — 典型生长材料：氧化物，如 Ga2O3、ZnO等 — 气路漏率：≤ 1.0*10-9 mbar*l/s — 前驱体：TMGa可扩展至多10路源 |