Stellar Nitride Ⅰ
Stellar Nitride Ⅰ系统专注于氮化物材料生长研究，设备集成智能化控制系统，精准调控生长参数，确保材料性能优异；模块化设计，运行稳定，操作便捷，大幅提升实验效率；支持个性化配置，满足不同研究场景需求；专业团队提供从安装到技术支持的全程服务，助力科研突破。
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产品特点 — 衬底规格：1*2" — 工艺温度：20-1250℃ — 典型生长材料：GaN，GaAs，InP，锌扩散 — 前驱体：TMGa、TMAl、DEZn可扩展至多8路MO源 — 气路漏率：≤ 1.0*10-9 mbar*l/s |