首届氧化镓产业与技术研讨会圆满结束!中国科学院院士杨德仁现场致辞!

发表时间:2024-07-24 16:01

7月17-18日,2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会于杭州成功举办。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心、杭州光学精密机械研究所、西安电子科技大学主办,杭州富加镓业科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司、半导体在线、亚洲氧化镓联盟联合承办,《人工晶体学报》为此次会议提供学术期刊支持。

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据悉,此次研讨会聚焦半导体新材料氧化镓前沿基础技术与后续产业高质量发展,特邀中国科学院院士、半导体材料科学家杨德仁为大会作开幕致辞,国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光等重要领导代表出席会议,还有近50位科研院校专家及企业研究人员在大会上发表深度报告。

氧化镓的吸引力:线上线下齐关注

作为国内第一届聚焦氧化镓技术和产业发展的研讨会,大会吸引了海内外78所高校的老师和学生、32所研究机构、290家相关企业以及37家参展单位共同参会,同时现场展示了25个学生学术海报。据统计,此次氧化镓研讨会共计600+行业和科研人员到场参会,线上观看人数过万。现场学术交流氛围浓厚,各家企业共话行业发展。

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根据议程安排,研讨会主要分为两天进行。大会首天,研讨会开幕式隆重举行,杭州光学精密机械研究所理事长张龙主持了开幕仪式。在开幕式上,中国科学院院士、宁波理工大学校长、浙江大学材料科学与工程学院教授杨德仁发表致辞。

杨德仁院士表示,氧化镓材料作为新一代超宽禁带半导体,已在功率器件、射频器件以及光电探测器等领域展现了无可替代的综合实力,其产业化进程也有待进一步加速。他希望此次大会能够为氧化镓材料、器件的技术发展和产业化构建更加广泛的合作空间和更加科学、严谨的交流互动平台,推动领域内产学研用融通创新,助力关键性技术、前沿引领技术创新突破,不断推动中国半导体产业高质量发展。

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随后,国家自然科学基金委高技术研究发展中心原副主任卞曙光继续发表开幕讲话。他指出,尽管我国在氧化镓研究上已取得阶段性成就,但仍面临着大尺寸单晶制备难度高、材料可靠性低、稳定性弱、生产成本高等诸多挑战和技术难点。他呼吁各方加强政策引导、技术研发与国际合作,共同推动氧化镓产业链完善与应用示范。

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开幕式上,萧山区委组织部副部长、区委人才办常务副主任易海平则表达了对科技创新以及产业发展表示了热切期望,她希望科创中心等新型研发机构能够推进科技创新、人才引育、产业转化等领域发展,助力科技创新与产业升级。

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最后,浙江大学杭州国际科创中心副主任王高合主要讲述了近年来我国的氧化镓研究成果。随着王主任讲话的结束,此次大会正式开始。

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多环节多形式共话氧化镓技术与产业发展

正式会议主要分为特邀报告和分会场报告两大部分。

特邀报告:

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《宽禁带半导体氧化镓晶体生长探讨》

陶绪堂(教授,山东大学)

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《氧化镓场效应晶体管可靠性研究》

罗小蓉(教授,电子科技大学)

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《氧化镓功率半导体进展和若干挑战》

冯志红(首席科学家,中国电科产业基础研究院/固态微波国重)


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《β-氧化镓界面缺陷对欧姆接触的影响》

魏强民(首席专家,九峰山实验室)

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《极宽禁带半导体氮化铝(AlN)和氧化镓(GaO)基半导体材料的拉曼与椭偏光

谱学及多重学科技术探索与研究》

冯哲川(教授,肯尼索州立大学)

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《异质集成氧化镓材料和功率器件》

韩根全(教授,西安电子科技大学)

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《如何打通科技成果转化最后一公里》

张龙(理事长,上海光学精密机械研究所/杭州光机所)

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《氧化镓电子器件的若干新进展》

张进成(副校长,西安电子科技大学)

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《基于 ε-Ga₂O₃薄膜的射频滤波器制备研究》

王钢(教授,中山大学)


分会场报告主要划分了氧化镓材料、氧化镓器件、氧化镓产业三个部分,国内外的专家学者就氧化镓的晶体生长、薄膜技术、器件性能等关键议题进行交流。

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另外,大会重要环节“氧化镓圆桌对话”围绕氧化镓产业化发展面临的机遇与挑战,大尺寸氧化镓材料衬底生长和制备还面临哪些技术和产业化挑战,氧化镓功率器件适用的应用级别、器件开发亟需克服什么技术壁垒三个话题而展开,陶绪堂、冯志红、罗小蓉、唐为华、齐红基、冯倩、张辉一共七位专家学者在此刻进行了思想碰撞,将研讨会的对话交流氛围推向新高潮。

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与此同时,相较于其他偏学术的研讨会,37家参展商的加入也为此次研讨会注入了别样生命力。展位现场,不仅有专注氧化镓材料生长的企业,还有其他半导体材料产业链上的厂商。平时天各一方,如今大家齐聚一堂,既为上下游企业间的合作提供了更直接的对话方式,也让产学合作交流更加具象化。


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此次氧化镓技术与产业研讨会,历时两天,为广大研究氧化镓材料的科研人员和从事氧化镓与其他半导体材料开发应用的企业人员以及关注氧化镓发展情况的同仁提供了一个面对面的交流机会,大家共同探讨氧化镓材料以及产业的高质量发展,助推我国半导体材料行业的进步。氧化镓作为宽禁带半导体材料,发展潜力无限,是国际科技竞争的重要战略制高点之一。各方齐心协力,抢占氧化镓产业发展的这一战略高地更是指日可待。


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