韩国首个1200V 氧化镓SBD问世！

7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。

source：Siegtronics

据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，具有更宽带隙和更高的临界击穿场强。它克服了现有产品的缺点——低击穿电压（VB）和高漏电流（IL），实现了差异化的高压、大电流、耐高温、高效率应用，在电动汽车的电源转换器、电驱和逆变器等领域应用备受关注。

氧化镓普遍被业界认为是“第四代半导体”材料，目前以美国、中国、日本为代表的相关企业和机构正对其开展研发工作。

但与其他宽带隙材料相比，相关研发（R&D）程度较低，尚未达到全面商业化阶段。因此，全球许多半导体相关机构和公司都在努力抢占氧化镓市场。

Siegtronics表示，公司通过“开发具有低缺陷特性的高级氧化镓外延材料和击穿电压为1kV或更高的功率器件技术”项目，成功研制出了韩国首个1200V级氧化镓SBD。

需要注意的是，氧化镓通过最大限度地降低半导体器件的漏电流和导通电阻，不仅有望应用于普通家电和IT设备的逆变器和转换器，还有望应用于电动汽车充电模块、国防、航空航天领域，为实现器件功耗的小型化、微型化和轻量化做出贡献。