7月22日，韩国化合物半导体公司Siegtronics宣布，公司已开发出可应用于高速开关的氧化镓（Ga2O3）肖特基势垒二极管（SBD）。source：Siegtronics据悉，氧化镓是一种宽带隙（WBG）材料，与碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）相比，具有更宽带隙和更高的临界击穿场强。它克服了现有产品的缺点——低击穿电压（VB）和高漏电流（IL），实现了差异化的高压、大电流、耐高温、高效...

7月17-18日，2024年第一届氧化镓技术与产业研讨会于杭州成功举办。此次会议由浙江大学杭州国际科创中心、杭州光学精密机械研究所、西安电子科技大学主办，杭州富加镓业科技有限公司、杭州镓仁半导体有限公司、半导体在线、亚洲氧化镓联盟联合承办，《人工晶体学报》为此次会议提供学术期刊支持。据悉，此次研讨会聚焦半导体新材料氧化镓前沿基础技术与后续产业高质量发展，特邀中国科学院院士、半导体材料科学家杨...

第十八届全国MOCVD学术会议THE 18TH NATIONAL CONFERENCE ON MOCVD       金属有机物化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，已经广泛应用于制备氮化物、砷化物、碲化物、氧化物等重要半导体材料及其量子结构，极大地推动了光电子器件和微电子器件与芯片的发展及产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及相关器...

  随着2024年4月9-11日，2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（JFSC&CSE 2024）在武汉光谷科技会展中心圆满落幕，我们共同见证了超宽禁带半导体行业的蓬勃与进步。半导体，作为现代科技的基石，承载着无数人的智慧与梦想。它的发展不仅推动了信息技术的革新，更引领着整个社会的进步。因此，我们每一次的突破与创新，都显得尤为重要。